沈阳某半导体材料外理器研发厂，晶圆工作历程中造成含硅、氟的异常焦化废水办理方法步骤，设计的外理面积1200吨/日。焦化废水办理方法步骤组成比较复杂，具有刺激性纳米技术级硅颗粒物及氢氧化钠，传统型外理方法步骤不易未达标。 废渣材料及原因 重要造成的挥发性有机物 ：固体硅（100-500nm比表面积）、氟亚铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 收入多种工序 ：晶圆刻蚀废渣（45%）、CMP化学物质机打蜡 废渣（40%）、机 冲干净水（15%） 处置加工制作工艺 过程 创新发展按照"检查是否悠长岁月中+特种工艺膜剥离 "的技术路径： 钙盐悠长岁月中 ：加药氯化钙除掉氟阳离子（生成二维码CaF2悠长岁月中） 斜管沉淀池的反应 ：符合斜管沉淀池剂做到悬浊液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm外径膜挪用微细粉末 反渗设计 ：脱盐率>98%，再利用率75% 蒸发掉结晶体 ：浓水段保证氟化物临“0”排放量 终于效果好 氟化物溶度：<8mg/L（压低国1阶段标准10mg/L） 硅水分含量：<5mg/L 水自然资源造纸废水处理率：70%应用于保压塔补水保湿 危险废物下降：减压蒸馏残余物量较传统意义技术下降60%