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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华南地区某LED本质片分娩公司,因分娩方式中动用砷化镓、酸洗铟等III-V族无机化合物,废河中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,的设计治理投资额1200吨/日。 焦化废水组分及由来 MOCVD设备的清洗电镀废水 :含三级甲等医院基镉、三级甲等医院基铟等有机会金属质无机化合物 激光切研磨设备废液 :含纳米级级复合粉末 化学镀废污水 :含铜、镍等黑色金属铁离子 治理工序环节 多元化采用了"钝化破络+巨资属捕集器+膜转移"结合工艺设计: 预操作單元 :加药系统氢氧化钙被分解转换成有机质复合络合物 关键处里单无 : 运行DTCR天价属气体吸附剂达成不无水磷酸氢螯合物 反渗透装置体统(UF)挪用生物大分子式环境大气污染物 反融合(RO)脱盐率>98% 飞灰解决单元尺寸 :离心式烘干后授权委托危废治理 治理 主治理 最后效用 经第二方测试: 总砷含磷量:0.05mg/L(国家标准下载0.5mg/L) 镉含铁:0.01mg/L(国家行业标准0.1mg/L) 水工业废水处理率:75% 加载费用:3.8元/吨水

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