半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
好项目背景图
本次目坐落于长江三角洲形中南部某一个国家半导体芯片领域垂钓区,企业注意工作85厘米和125厘米晶圆,东风日产量达标2万片。如今的生产工作能力不断提升,增加了的废污水治理系统的已不能满意环保型的要求,人们非常晋升改建。产品总投资费用约1200万元,构思治理工作能力为300吨/日,于202一年起建投产。
焦化废水组成成分及源头
该厂家晶圆小学划片工艺导致的工业废水重点主要包括下类组分:
切时候中用到的碾磨液无残留物,最主要的基本成分为二防氧化硅颗粒状、表层灵润湿剂和有机酸增长剂
晶圆外层擦拭产生的含氟废渣,氟阴离子渗透压在80-120mg/L
一些血本属阴离子如铜、镍等,来历于打孔工具软件刹车盘磨损
有机物高沸点溶剂余留,包涵异丙醇、甲苯等
pH值价格波动更大,常常在4-10直接
加工加工制作工艺 具体步骤
应对焦化废水优点,构思通过"物理化学预整理+生化模式整理+的深度整理"的组合式工艺设备:
调低池
:稳定饮用水蓄水量,设置成pH手机在线检测站和手动投加系统软件
混泥土沉淀出的
:加药系统PAC和PAM,祛除浮悬物和胶体溶液化学物质
气浮第一单元
:所采用溶气气浮生产技术进三步祛除细微科粒和大部分卤素元素物
什么是生化处置
:采用了MBR膜怪物反映器,废水渗透压保证在8000-10000mg/L
长度外理
:活力炭吸出+反参透工艺设计,保证出液及格
污泥干化工作
:板框压滤设备缺水,活性污泥含水量率调至60%一下
治理 效用
体统稳定性启动后,出液地表水彻底高于《电商化工水污染源物减排标准的》(GB39731-2020)独特减排允许值让:
COD<30mg/L
氟亚铁离子<5mg/L
悬屏物<10mg/L
高价属数据来公式均压低标准值
创业项目一年可限制被废水减排量约COD 32吨、氟化物8.5吨,循环水率可达到75%以上的,为中小型企业合理利用电费花费约110万元/年。